مقدمه |
|
شکل (2) نمايشی از رشد بدون حضور پلاسمای سرد (شکل راست) و رشد متراکم نانولولههای کربنی در حضور پلاسمای سرد (سمت چپ). بدون پلاسما يک رشد کاملاً نامنظم حاصل میشود. |
شکل (2) نشاندهنده رشد بدون نظم مشخص میباشد که بدون حضور پلاسما و صرفاً در شرايط گرمايشی حاصل شده است. لازم به ذکر است که دمای رشد نانوساختارهای کربنی با استفاده از پلاسمای سرد بين 550 و 650 درجه سانتيگراد میباشد که معمولا بدون حضور پلاسما منجر به رشد کاملاً نامنظم میگردد. |
|
شکل (3) رشد نانولولههای کربنی از هستههای نيکلی به صورت عمودی. در شکل سمت راست رشد متراکمی از نانوساختارهای کربنی به صورت عمودی مشاهده میگردد. دانهبندی اوليه عنصر کاتاليزور (نيکل) اهميت بالايی در اين رشد همگون دارد. |
در شکل (3) رشد نانولولههای کربنی به صورت تقريباً عمودی و حجيم ديده میشود که در حضور پلاسما و با چگال توانی در حدود mW/cm2 10 حاصل شده است. در بسياری از موارد نياز به چنين رشد متراکمی داريم که از موارد مهم آن نمايشگرهای گسيل الکترونی از نوکهای تيز نانولولههای کربنی میباشد. اينگونه ساختارها با توجه به شکل بسيار تيز خود امکان خروج الکترون با اعمال ولتاژهای پايين را مهيا میسازند. گسيل الکترونی از نوک لولهها در اثر اعمال ولتاژ به آنها کاربردهای متعدد ديگری از جمله در ساخت اشعههای الکترونی متمرکز[ 1و2 ]و فرآيند ليتوگرافي دارد. |
نانوساختارهای گسيل
الکترون |
|
شکل (4) نماي شماتيک يک نانوساختار کربنی و استفاده آن در ساخت ساتع کننده الکترونی. توضيح بيشتر در متن آورده شده است. در تصوير مقابل نمايشی از تصوير ميکروسکوپ الکترونی مربوط به مجموعهای از اين ساتع کنندههای الکترونی مشاهده می گردد. |
صفحه آند که
معمولاً از جنس ويفر سيليکوني میباشد در فاصله مناسب از بستر توليدکننده
الکترون قرار میگيرد. در شکلهای زير رفتار الکتريکی مجموعهای از
نانوساختارهای کربنی به نمايش گذارده شده است که حاکی از عملکرد مناسب اين
مجموعه میباشد. |
|
شکل (5) نمايش رفتار الکترونيکی نانوساختارهای کربنی با پوشش دولايه از جنس اکسيد تيتانيوم و فلز. شکل چپ نشاندهنده جريان آشکار شده در طرف آند با توجه به ولتاژهای آند-کاتد. شکل راست نشاندهنده جريان آشکار شده در آند و کنترل آن توسط گيت ترانزيستور میباشد. |
|
شکل (6) :تاثير پرتو الکتروني گسيل شده روي مادهي حساس پليمري به همراه حرکت خطي که توسط سيستم مکانيکي ايجاد شده است. |
نانولولهها برقرار ميکنيم و با اعمال
ولتاژ منفي بر آن(نسبت به بستر نانولولهها) پرتوي الکتروني را باريکتر
ميکنيم. الکترونها در اثر انرژیاي که پيدا میکنند به سمت صفحه آغشته شده
به لايه حساس شتاب ميگيرند و روی اين ماده تاثيرات شيميايی از خود به جا
ميگذارند تا در مرحلة حکاکی طرح، الگو روی نمونه حکاکی شود. |
مراجع |
[1] Guillorn, M. A., M. D. Hale, V. I. Merkulov, M. L. Simpson, G. Y. Eres, H. Cui, A. A. Puretzky, and D. B. Geohagen "Integrally gated carbon nanotube field emission cathodes produced by standard micro-fabrication techniques," J. Vac. Sci. Tech. B. Vol. 21, May 2003, 957-959. [2] Wang, Q.H., Yan, M, and Chang, R P H, Flat panel display prototype using gated carbon field emitters. Applied-Physics-Letters (USA), 78, 1294, 2001. [3] J. Koohsorkhi ; H. Hosseinzadegan ; S. Mohajerzadeh; M. D. Robertson; “Novel self-defined field emission transistors with PECVD-grown Carbon Nano-tube on silicon substrates” presented at Device Research Conference 2004. [4] J. Koohsorkhi ; H. Hosseinzadegan ; S. Mohajerzadeh; E. Asl Soleimani and E. Arzi; “PECVD-grown carbon nano-tube on silicon substrate suitable for realization of field emission devices” Journal of Fullerenes, Nanotubes and Carbon Nanostructures, accepted for published, 2004. منبع :سايت نانو |
ارسال نظر برای این مطلب
اطلاعات کاربری
لینک دوستان
آرشیو
آمار سایت