هدف فناوريهاي مولكولي قرارگرفتن به
جاي تراشههاي حافظه امروزي ميباشد؛ اما آيا اين فناوري ميتواند كارآيي
داشته و به حد كافي هم ارزان باشد؟ |
|
به هر حال LSI خطر همكاري با نانترو را
پذيرفت و سرانجام با تلاشي دقيق و طاقتفرسا طي مدت بيش ازيك سال، در ماه
مي- ارديبهشت- اولين لاية نازك سيليكوني داراي سلول حافظة نانولولهكربني
ساخته و سريعاً براي تست به آزمايشگاه فرستاده شد. در آنجا مهندسان درحالي
كه هنوز نسبت به كارآيي الكتريكي آن ترديد داشتند، با احتياط جريان
الكتريكي خروجي از يك ردياب خميده (Curve tracer) را كه براي بررسي
سلولهاي ريز حافظه به كار ميرفت به آن اعمال كردند و در كمال ناباوري
مشاهده نمودند كه اغلب اين سلولها به طور صحيح به كار افتادند. |
بحران احتمالي آينده گفته ميشود استفاده از فناوري نانو ميتواند راهي براي پيشگيري از بحران احتمالي در آيندة صنعت نيمهرساناها به شمار آيد. به طوري كه با قانون مور، مبني بر انتظار دو برابر شدن چگالي تراشه در هر 18 تا 24 ماه هم مطابقت داشته باشد. و اگر شركتهاي نانترو و زتاکور كاري در اين زمينه انجام ندهند صنعت نيمهرسانا به ركودي قابل توجه نايل ميشود. بنابه اظهارات استفان لايي، جانشين گروه فناوري و توليد اينتل، صنعت 15 ميليارد دلاري حافظة فلش به محدوديتهاي فناوري خود نزديك ميشود و احتمالاً توليد آن به نحو چشمگيري كاهش مييابد لذا بايد خود را براي هر پيشامدي در اين مورد آماده نمود، البته نميتوان نقش مهمي كه فناوريهاي جايگزين در اينباره خواهند داشت را ناديده گرفت. وي همچنين عقيده دارد كه شركت اينتل ميتواند تراشههايي 45 نانومتري توليد كند كه نصف تراشههاي 90 نانومتري امروزي هستند، اما اينكه آيا ميتوان از اين هم فراتر رفت يا نه؟ مطلبي است كه چندان روشن نيست. اينتل به دنبال نسل جديدي از حافظههاي فلش با ابعاد 22 نانومتر ميباشد كه بتواند جايگزين تراشههاي امروزي شود اما به عقيدة كارشناسان، اين كار زودتر از سال 2012 به نتيجه نخواهد رسيد. به گفتة استفانلايي ايجاد يك بازار مطمئن به جاي حافظههاي فلش پنج سال طول خواهد كشيد. لذا اگر به عقب برگرديم لازم است تا در بازة زماني 2006 تا 2007 محصولي جايگزين در بازار داشته باشيم. با تمام اين احوال برنامة فعلي اينتل براي جايگزيني حافظههاي فلش براساس فناوري نانو نيست و به جاي آن، اين شركت در نظر دارد از فناوري ovonic يعني ذخيره دادهها روي لايه نازكي از Chalcogenide- مادهاي كه در CDهاي با قابليت نوشتن مجدد بر روي آنها كاربرد دارد- استفاده نمايد. |
|
بسته به بار الكتريكي اعمالشده، نانولولههاي كربني به دو صورت سوئيچي خميده و مستقيم درميآيند كه در حالت اول اتصال الكتريكي برقرارشده و در حالت دوم اتصال قطع ميشود. |
گفتة مسئولان اينتل آنها در اين زمينه
پيشرفت خوبي داشته و كاملاً مطمئن هستند كه ميتوانند حافظههايي را از اين
ماده بسازند و اگرچه در ابتدا احتمال دارد هر بيت از تراشههاي ovonic
دوبرابر گرانتر از حافظههاي فلش باشند اما انتظار ميرود كه اين فناوري
نهايتاً به توليد سلولهاي حافظة كوچكتري منجر شود. |
روش نانترو بعد از آن كه روئكس طي مقالهاي چگونگي استفاده از نانولولههاي كربني را در ذخيره اطلاعات بيان داشت، گِرگ اشمرجل و برنت سگال، دارنده دكتراي شيمي از دانشگاه هاروارد و توماس روئكس اقدام به تأسيس نانترو در سال 2001 نمودند. شركت آنها موفق شد 16 ميليون دلار سرماية خطرپذير را جذب خود نموده و 25 كارمند هم استخدام كند. هدف آنها تجاريسازي تراشههاي حافظهاي بود كه همان سرعت SRAM، همان ظرفيت DRAM و همان غيرفراريت (توانايي در نگهداري اطلاعات هنگام قطع برق) حافظههاي فلش را داشته باشند. فناوري NRAM آنها به اين صورت عمل ميكرد كه رشتههاي معلقي از نانولولههاي كربني روي سلولهاي حافظهاي ساخته شده از يك لايه نازك نانولولهاي، قرار ميگرفتند (در شكل نشان داده شده است). با اعمال بار مثبت يا منفي، اين رشتهها يا جذب سلولهاي حافظه شده و توسط نيروهاي بينمولكولي نگهداشته ميشدند كه به اين ترتيب اتصال الكتريكي برقرار ميشد و يا اينكه از سلولهاي حافظه دور شده و باعث قطع اتصال الكتريكي ميگرديدند. سلولهاي حافظه نانولولة كربني روي ويفرهاي سيليكوني با همان روش ليتوگرافي (چاپ) معمولي (رسوبدهي يا حكاكي) ساخته ميشوند. به گفتة اشمرجل مدير اجرايي نانترو، احتمالاً توليد آزمايشي محصولات اين شركت بسياري از صاحبان صنايع را شگفتزده نمايد چرا كه تصور ميشود توليد انبوه زودتر از 10يا 15 سال آينده امكانپذير نخواهد بود و كسي هم نميتواند چگونگي توليد انبوه آنها و قراردادنشان روي ويفرها را كشف كند. اما آنچه ما در اين مرحله موفق به انجام آن شدهايم فرآيند سادهاي است كه ميتوان آن را با محصولات موجود مقايسه نمود. اخيراً نانترو شروع به همكاري با سيستمهاي BAE، پيمانكار دفاعي انگلستان نموده تا با همكاري آنها بتواند تراشههاي نانولولههاي كربني را جهت صنايع هوافضا به كار برد. زيرا در اين صنايع ايمني آنها در مقابل تابش، يك مزيت اساسي به شمار ميآيد. همچنين نانترو كارهايي را به طور مشترك با شركت توليدابزار ASML براي توسعة تكنيكهاي چاپ نانولولههاي كربني آغاز نموده است. روش زتاکور مؤسسان زتاکور در اواخر دهة 1990 ضمن كار براي يك شركت فناوري زيستي كاليفرنيايي با يكديگر ملاقات كرده و اولين سرمايهگذاري خطرپذير خود را در سال 2001 آغاز نمودند. در فناوري زتاکور از پرفرينهايي به شكل آبنبات چوبي (كه از مشتقات كلروفيل ميباشد) براي ذخيرة الكترون استفاده ميشود. در انتهاي اين مولكولها قطعهاي وجود دارد كه ميتواند خم شده و به هر سطحي متصل شود (همانند شكل). فناوري زتاکور از لحاظ مقياس بايد بسيار كوچكتر از DRAMها باشد، چرا كه در اين روش مولكولها به طور فشرده به هم بسته شده و از تكتك آنها براي ذخيرة بار استفاده ميشود. همچنين اين شركت موفق به توليد حافظههاي مولكولي 1Mb شده و ميزان تحمل آن را تا بيش از يك تريليون (1012) چرخه مورد آزمايش قرار دادهاند. اگرچه قابليت مولكولهاي ساخت اين شركت متغير است اما هدف اوليه زتاکور بهينهسازي سرعت اين مولكولهاي حافظه به جاي قدرت نگهداري آنها است. بنابراين لازم است تا تراشههاي توليدي اين شركت به طور متناوب و البته به ميزاني كمتر از DRAM و SRAM شارژ شوند تا بتوانند اطلاعات داخل خود را نگهدارند. هدف از اين كار توليد حافظههايي با همان سرعت SRAM است با اين تفاوت كه كوچكتر بوده و مصرف كمتري هم دارند. |
|
حافظههاي زتاکور از مولكولهاي پرفيرن آب نبات شكل براي ذخيره الكترونها استفاده ميكند و براي اين كار از ميلهاي استفاده ميشود كه ميتوان آن را طوري طراحي نمود كه خودبخود به الكترود متصل شود. |
رقابتهاي اقتصادي كاربرد اين فناوريها در خارج از محيط آزمايشگاه و در كاربردهاي واقعي ميتواند نقطة عطفي به شمار آيد. اما به عقيده تحليلگران مشكلات اقتصادي كه در اين راه وجود دارند هم بايد مدنظر قرار گيرد. قيمت فناوري حافظههاي متداول امروزي به سرعت در حال كاهش است و رقباي جديد در اين عرصه با مشكلات جدي مواجهاند مگر آنكه فعالان فعلي دست از پيشرفت بردارند، كه البته حتي در آن صورت هم معلوم نيست كه آيا فناوريهاي نانوي جديد بتوانند بر مشكلاتي غلبه كنند، كه در راه كوچككردن ترانزيستورها و اجزاي چاپ وجود دارد مشكلاتي كه ميتواند فناوريهاي فعلي را هم از كار باز دارد. اما با وجود اين، به عقيدة باب مريت تحليلگر مسائل ادغام بازارها، كه براي شركت Semico Research كار ميكند، اگر آن گونه كه وعده داده شده فناوري نانوحافظه به مرحله عمل برسد، هنوز فرصتهايي براي تجاريسازي آن وجود دارد و ميتوان فرآيند توليد آنها را با روند توليد تراشههاي CMOS استاندارد ادغام نمود (كاري كه نه DRAM و نه حافظههاي فلش قادر به انجام آن هستند) البته اين فقط حافظه نيست كه اهميت دارد بلكه توانايي تركيب آن با مدار منطقي در همان فرآيند است كه اهميت دارد و كار بيشتري ميخواهد اينكه بتوان ساير حافظههاي جايگزين را با CMOS ادغام نمود مطلبي است كه هنوز به اثبات نرسيده است. با اهميتيافتن الكترونيك قابل حمل، تأمين برق مصرفي آنها و نيز كاهش اندازة آنها هم اهميت يافته و سازندگان تراشه را مجبور ميكند تا تعداد بيشتري حافظه و مدار منطقي را در يك تراشه واحد با هم تركيب كنند. به عقيده دانشمندان نمونه جديدي از صنعت تراشه در حال شكلگيري است كه در آن تركيبات جديدي از حافظه و مدارمنطقي وجود داشته و نهايتاً منجر به ساخت گسترده و وسيع پردازشگرهاي جديد و معماريهاي جديد حافظه ميگردد. اما از طرف ديگر بايد توجه داشت كه غالباً ايجاد بازارهاي غيرمنتظره است كه ميتواند باعث موفقيت يا شكست يك فناوري جديد در زمينه توليد حافظه شود. در مورد حافظههاي فلش، تلفنهاي همراه چنين بازار غيرمنتظرهاي را پديد آورند اما در مورد نانوحافظهها چه چيزي خواهد توانست اين كار را انجام دهد؟ لذا لازم است براي هر فناوري جديد يك سؤال اساسي را از خود بپرسيم: و آن اينكه "كاربرد اساسي و تأثيرگذار اين فناوري جديد چيست؟ آيا حافظههاي ساختهشده براساس فناوري نانو ميتوانند رقابتي جدي در زمينه روشهاي توليد تراشههاي حافظه ايجاد نمايند؟" |
ارسال نظر برای این مطلب
اطلاعات کاربری
لینک دوستان
آرشیو
آمار سایت